技術參數
時間溫度描跡(TTP) & 時間功率描跡(TPP):
● 加熱溫度:0℃-300℃,最高溫度:600℃;
● 預熱溫度:50~135℃獲取溫度:200℃~300℃;
● 升溫速率: 1℃/s~50℃/s;
● 退火溫度:15℃-300℃退火時間:15min;
● HV:0~-1500V 高壓穩定性:<0.005%;
劑量數據讀取系統參數
● 特有的加熱模塊,鈍化加熱;半導體制冷+氣體制冷;
● 線性化:≤1%,加熱溫度穩定性(控制精度):±1℃;
● 劑量測量線性范圍:
10 Gy~10Gy(LiF:Mg,Cu,P) (加衰減濾光片最大可達100Gy)
10-9Gy~300Gy(LiF:Mg,Ti-M)(敏化)
10-9Gy~10Gy(LiF:Mg,Ti);
● 加熱溫度偏差:≤ ±1℃;加熱時間重復性:≤0.1%;
● 重復性:1 mGy137Cs,偏差<1%;
● 可測試項目:γ、β、X 射線劑量,中子;
● 讀數器穩定性:連續10次測量, RSD ≤ 0.1%
●系統長期穩定性:同一樣品間隔8小時測量, RSD ≤ 0.1%。

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